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据新华社11月29日报道,成都国家重大科研设备开发项目“超分辨率光刻设备开发”于29日通过验收。光刻机由中国科学院光电技术研究所开发。光刻分辨率达到22纳米。结合双曝光技术,它可以用于制造10纳米的芯片。 ...

据新华社11月29日报道,成都国家重大科研设备开发项目“超分辨率光刻设备开发”于29日通过验收。光刻机由中国科学院光电技术研究所开发。光刻分辨率达到22纳米。结合双曝光技术,它可以用于制造10纳米的芯片。 ...

作者:钮瑗鲛  时间:2017-05-17 14:16:01  人气:

据新华社11月29日报道,成都国家重大科研设备开发项目“超分辨率光刻设备开发”于29日通过验收光刻机由中国科学院光电技术研究所开发光刻分辨率达到22纳米结合双曝光技术,它可以用于制造10纳米的芯片中国科学院理化技术研究所徐祖炎等接受组专家一致表示,光刻机在365 nm波长下的最大线宽分辨率为22 nm原则上,该项目突破了分辨率衍射极限,建立了新的高分辨率,大面积纳米光刻设备研发路线,以绕过国外知识产权壁垒光刻机是制造芯片的核心设备,中国长期以来在这一领域一直落后它使用类似照片的打印技术通过曝光将母版上的精细图案转移到硅晶片上通常,光刻分辨率越高,处理后的芯片的集成度越高然而,传统的光刻技术受光学衍射效应的影响很大,并且分辨率进一步受到限制为了获得更高的分辨率,传统上通过缩短光波和增加成像系统的数值孔径来改进光刻机,但是技术难度非常高并且设备成本也非常高该项目副总设计师胡松介绍,中国科学院光电子研究所通过的表面等离子超分辨率光刻设备打破了传统的布线模式,形成了一条完全独立的新型纳米光学光刻技术路线知识产权超材料/超表面,